半导体少数载流子产生的原因是

简介

当半导体中注入非平衡载流子 ：np>n i 2, U>0 代入U 表达式 小注入， n、 p 可忽略 School of Microelectronics N或p型Si，Au为有效复合中心，对少数载流子寿命产生 极大 的影响。School of Microelectronics 室温下，若r p =/s; r n =

半导体器件物理章半导体中的载流子输运现象.doc,半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象 第四章 半导体中载流子的输运现象 在前几章我们研究了热平衡状态下，半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。我们知道电子和空穴的净流动将会产生电流，载流子的运动过程称谓输运。

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小? 违法和不良信息举报 联系客服 搜题 如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案 首页 >大学本科>工学>电气信息类> 问题详情

模拟电子技术试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 模拟电子技术试题汇编 第一章半导体器件 一、填空题 价元素的原子，则多数载流子应是电子 ，少数载 流子应是 空穴 型半导体中，电子浓度大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电 子浓度 小于 空穴浓度。

杂质半导体中的多数载流子是由_____产生的，少数载流子是由_____产生的，在二极管中，多数载流子形成_____电流，少数 载流子形成_____电流。 违法和不良信息举报 联系客服 搜题 如搜索结果不匹配，请联系老师获取答案 首页 >大学本科

半导体（semicONductor），是一种材料的的导电能力介于导体和绝缘体之间，并有负的电阻温度系数的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。如硅、锗、硒等，半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显着。

为什么说P型半导体的多数载流子是空穴. 既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,空穴在移动,负离子不是也相当于在移动(电子转移使负电荷转移)吗,为什么不把负离子也当做多子呢 P型半导体

半导体（英语： Semiconductor ）是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。 电导率容易受控制的半导体，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数。半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。 锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓

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第一章 半导体的基础知识 第一节 半导体二极管 教学目的:1、了解半导体材料 2、知道PN结的特性 3、了解晶体二极管的结构和工作原理 4、掌握基本二极管电路的分析方法 教学重点：1、PN结导电特性 2、二极管的导电特性及主要参数 教学难点：1、PN结导电特性 2、二极管伏安特性 教学方法与手

半导体器件物理章半导体中的载流子输运现象.doc,半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象 第四章 半导体中载流子的输运现象 在前几章我们研究了热平衡状态下，半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。我们知道电子和空穴的净流动将会产生电流，载流子的运动过程称谓输运。

模拟电子技术试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 模拟电子技术试题汇编 第一章半导体器件 一、填空题 价元素的原子，则多数载流子应是电子 ，少数载 流子应是 空穴 型半导体中，电子浓度大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电 子浓度 小于 空穴浓度。

双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor， BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和

为什么说P型半导体的多数载流子是空穴. 既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,空穴在移动,负离子不是也相当于在移动(电子转移使负电荷转移)吗,为什么不把负离子也当做多子呢 P型半导体

半导体（英语： Semiconductor ）是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质。 电导率容易受控制的半导体，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。

MOSFET的结构和特点,功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚，分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小

半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数。半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。 锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓

提供模拟电路考试题及答案文档免费下载，摘要:自测题一一、判断题1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F）2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

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双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布

本发明一般地涉及一种用于制备具有改善的关断或开通时间及正向压降的高性能硅功率器件的工艺。更具体地说，本发明的工艺涉及通过控制硅段(siliconsegment)内复合中心的浓度分布制备包括具有不同的少数载流子寿命的各区域的硅段。对于某些类型固态功率元件例如可控硅或功率二极管的设计者

产生上述现象的原因是由于二极管外加正向电压VF时，载流子不断扩散而存储的结果。 当外加正向电压时P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散，这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在P区内存储了电子，而在N区内存储了空穴 ，它们都是非平衡少数载流于，如下图